Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Cechy

• Rozmiar M.2 SSD:2280 (22 x 80 mm)
• Obsługa TRIM:TakCzas
• zapisu (4KB
• ):1350000 IOPS
• Typ pamięci:V-NAND TLC
  • NVMe: szyfrowanie:TakCzas
  • odczytu (4KB):850000 IOPSS Format
  • SSD:M.2
  • Interfejs:PCI Express 4.
  • 0Obsługa SMART:TakWersja
  • NVMe:2.0Średni
• czas między awariami (0W00li><030):050W00li h035 MB/sKomponent
• do:
• PCBAlgorytmy zabezpieczeń:256-bitowy
• AESPrędkość odczytu:7150 MB/sPojemność
• SSD: 1 TB

Warunki pracy

• Temperatura pracy - 7°TT (We): & wymiary
  
  
  • Szerokość:80,2 mm
  • Wysokość:22,1 mm
  • Głębokość:2,38 mm
  • Waga:9 g
  
  

Przyspiesz swój dzień
Wykonuj swoje zadania w mgnieniu oka. 990 EVO Plus z najnowszą pamięcią flash NAND oferuje sekwencyjne prędkości odczytu/zapisu do 7 250/6 300 MB/s. Szybko przesyłaj duże pliki.

Przez cały dzień z chłodną mocą
Wysoka wydajność dla wysokiej wydajności. Pokryty niklem kontroler zwiększa MB/s na wat nawet o 73% w porównaniu do 990 EVO i osiąga taką samą wydajność i kontrolę termiczną przy mniejszym zużyciu energii. Skoncentruj się na pracy lub grach, nie martwiąc się o przegrzanie lub żywotność baterii.

Dużo miejsca. Duża prędkość.
Wykorzystaj pełną moc swojego dysku dzięki inteligentnemu TurboWrite 2.0. Szybko przetwarzaj duże ilości danych i obsługuj wymagającą grafikę dzięki dużemu obszarowi TurboWrite, teraz dostępnemu w pojemnościach do 4 TB.

Oprogramowanie Samsung Magician
Nowoczesne zarządzanie dyskami jak za dotknięciem czarodziejskiej różdżki - dzięki oprogramowaniu Samsung Magician. To przyjazne dla użytkownika oprogramowanie pomoże ci mieć oko na dysk SSD przez cały czas. Umożliwia ono aktualizowanie dysku, monitorowanie parametrów stanu i prędkości, a także dostosowywanie wydajności.

Zaleca się, aby zawsze aktualizować oprogramowanie sprzętowe dysków SSD Samsung do najnowszej wersji.

Ożywianie nowoczesnej technologii
Od dziesięcioleci pamięć flash NAND firmy Samsung jest motorem napędowym nowoczesnych technologii, które zmieniły nasze codzienne życie. Technologia NAND flash napędza nasze dyski SSD i robi miejsce dla kolejnego impulsu nowoczesnej technologii.

Wydajność
Prędkość odczytu sekwencyjnego do 7250 MB/s. Do 45% szybciej niż 990 EVO.

Efektywność energetyczna
Do 73% wyższa efektywność energetyczna w porównaniu do 990 EVO dla większej liczby MB/s na wat przy stałej wydajności i kontroli termicznej.

Wszechstronność
Wysoka pojemność do 4 TB i szybki inteligentny TurboWrite 2.0 z powiększonym obszarem TurboWrite.

Specyfikacja produktu:

• Pojemność: 1 TB
• Rozmiar: M.2
• Interfejs: PCI Express 4.0

Nr producenta:MZ-V9S1T0BW

SAMSUNG
Wewnętrzny dysk twardy M.2 SSD
990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD - 1 TB
Dysk twardy M.2 SSD
Pojemność 1 TB
Interfejs: PCI Express 4.0
Prędkość odczytu 7150 MB/s, prędkość zapisu 6300 MB/s

Niesamowita szybkość - każdego dnia
Wykonuj zadania z prędkością błyskawicy. 990 EVO Plus z najnowszą pamięcią NAND oferuje zoptymalizowane prędkości sekwencyjnego odczytu/zapisu do 7 250/6 300 MB/s. Ogromne pliki, natychmiastowy transfer.

Zapobiegaj przedostawaniu się dysku SSD do czerwonej strefy.
Zoptymalizowana wydajność - zwiększona wydajność. Niklowany sterownik zwiększa MB/s na wat o 73%, osiągając ten sam poziom wydajności i zarządzania termicznego przy mniejszym zużyciu energii. Zachowaj koncentrację podczas pracy lub grania - nie martwiąc się o przegrzanie lub żywotność baterii.

Dodatkowa przestrzeń. Dodatkowa prędkość
Wykorzystaj w pełni swój dysk dzięki ulepszonej technologii Intelligent TurboWrite 2.0. Przetwarzaj duże ilości danych szybciej i poruszaj się po ciężkiej grafice łatwo i elegancko dzięki rozszerzonemu obszarowi TurboWrite, teraz dostępnemu z 4 TB pojemności.

Kluczowe korzyści:
- Wydajność: prędkość odczytu sekwencyjnego do 7 250 MB/s - 45% szybciej niż 990 EVO
- Efektywność energet yczna: Efektywność energetyczna poprawiona o 73% dla większej liczby MB/s na wat-rok przy zachowaniu wydajności i zarządzania termicznego.
- Wszechstronność: Zwiększona pojemność do 4 TB i szybki IntelligentTurboWrite 2.0 z rozszerzonym obszarem TurboWrite.

Parametry i specyfikacja:
Pojemność 1000 GB
M.2 (2280)
PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Oprogramowanie: Oprogramowanie do zarządzania Magician SSD

Pamięć podręczna: HMB (bufor pamięci hosta)
Pamięć wewnętrzna: Samsung V-NAND TLC

Prędkość sekwencyjna:
- 7 150 MB/s Odczyt
- Zapis: 6300 MB/s

Maksymalna liczba losowych operacji odczytu i zapisu we/wy na sekundę:
- Odczyt: 850 000 IOPS (4 kB, QD32)
- Zapis: 1 350 000 IOPS (4 kB, QD32)

Niezawodność (MTBF): 1,5 miliona godzin niezawodności (MTBF)

Inne:
- TRIM
- S.M.A.R.T
- GC (Garbage Collection) - automatyczne
- Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0)TCG/Opal IEEE1667 (szyfrowany dysk)
- Obsługa trybu uśpienia urządzenia
- Inteligentny Turbowrite 2.0

Wymiary: 80,15 x maks. 22,15 x maks. 2,38 mm
Waga: 9 g

Pojemność pamięci SSD:

1 TB

Rozmiar kieszeni dysku SSD:

M.2

Interfejs:

PCI Express 4.0

NVMe:

Tak

Typ pamięci:

V-NAND TLC

Przeznaczenie:

PC

Szyfrowanie sprzętu:

Tak

NVMe wersja:

2.0

Szyfrowanie / bezpieczeństwo:

256-bit AES

Rozmiar dysku SSD M.2:

2280 (22 x 80 mm)

Prędkość odczytu z nośnika:

7150 MB/s

Prędkość zapisu nośnika:

6300 MB/s

Losowy odczyt (4KB):

850000 IOPS

Losowy zapis (4KB):

1350000 IOPS

Obsługa DevSlp (uśpienia urządzenia):

Tak

Obsługa S.M.A.R.T.:

Tak

Wsparcie TRIM:

Tak

MTBF (Średni okres międzyawaryjny):

1500000 h

Napięcie pracy:

3,3 V

Pobór mocy (odczyt):

4,3 W

Pobór mocy (zapis):

4,2 W

Średni pobór mocy (odczyt):

4,3 W

Średni pobór mocy (zapis):

4,2 W

Pobór mocy (bezczynny):

0,06 W

Zużycie energii DevSlp (uśpienia urządzenia):

5 mW

Szerokość produktu:

80,2 mm

Głębokość produktu:

2,38 mm

Wysokość produktu:

80,2 mm

Waga produktu:

9 g

Szerokość opakowania:

145 mm

Głębokość opakowania:

100 mm

Wysokość opakowania:

24 mm

Waga wraz z opakowaniem:

68 g

Zakres temperatur (eksploatacja):

0 - 70 °C

Wstrząsy podczas pracy:

1500 G

Samsung SSD | 990 EVO Plus | 1000 GB | Format SSD M.
Producer - Samsung

• Package features / Gross depth (mm): 90.00 mm
• Package features / Gross height (mm): 10.00 mm
• Package features / Gross width (mm): 30.00 mm
• Package features / Packing quantity: 1.00 szt.
• Package features / Paper/Pasteboard: 22.00 g
• Package features / Plastic (No PET): 8.00 g
• Package features / Tare weight (kg): 0.03 kg
• Package features / Volume (m3): 0.00 m³
• Package features / Embeeded battery: No
• Package features / WEEE tax: CL109:6:2017-04-01
• Package features / Palette Qty: 25641 szt.
• Technical details / Gross weight: 0.04 kg
• Technical details / Net weight: 0.01 kg
• Technical details / Producer: Samsung
• Technical details / Producer product name: 990 EVO Plus
• Technical details / Producer product family: SSD
• Praca / Pojemność pamięci SSD: 1000 GB
• Praca / Prędkość zapisu nośnika: 6300 MB/s
• Praca / Prędkość odczytu z nośnika: 7250 MB/s
• Praca / Interfejs pamięci SSD: NVMe
• Design / Rozmiar kieszeni dysku SSD: M.2 2280
• : 60 miesiąc

1TB Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus Retail - wysokowydajny dysk SSD o pojemności 1 TB firmy Samsung w formacie M. 2, obsługujący PCI-E NVMe Gen4 dla najwyższej prędkości.

Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Krótka informacja: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - szyfrowany - 1 TB - wewnętrzny - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 256-bit AES - TCG Opal Encryption 2.0 Group Producent Samsung Producent Art. Nr art. MZ-V9S1T0BW EAN/UPC 8806095575674 Opis produktu: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - 1 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe) Typ Solid State Drive - wewnętrzny Pojemność 1 TB Szyfrowanie sprzętowe Tak Algorytm szyfrowania 256-bit AES Typ pamięci NAND flash TLC (Triple-Level Cell) Współczynnik kształtu M.2 2280 Interfejs PCIe 5.0 x2 (NVMe) Funkcje Inteligentna technologia TurboWrite, Technologia Samsung V-NAND TLC, Obsługa uśpienia urządzenia, Bufor pamięci hosta (HMB), Obsługa TRIM, Algorytm automatycznego zbierania śmieci, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Wymiary (szerokość x głębokość x wysokość) 22,15 mm x 80,15 mm x 2,38 mm Waga 9 g Objaśnienia ogólne Typ urządzenia Dysk półprzewodnikowy - wewnętrzny Pojemność 1 TB Szyfrowanie sprzętowe Tak Algorytm szyfrowania 256-bitowy AES Typ pamięci NAND flash TLC (Triple-Level Cell) Format M.2 2280 Interfejs PCIe 5.0 x2 (NVMe) Funkcje Inteligentna technologia TurboWrite, Technologia Samsung V-NAND TLC, Obsługa uśpienia urządzenia, Bufor pamięci hosta (HMB), Obsługa TRIM, Algorytm automatycznego zbierania śmieci, S.M.A.R.T, IEEE 1667 Szerokość 22,15 mm Głębokość 80,15 mm Wysokość 2,38 mm Waga 9 g Wydajność Wewnętrzna przepustowość danych 7150 MB/s (odczyt)/ 6300 MB/s (zapis) Maksymalny losowy zapis 4 KB 1350000 IOPS Maksymalny losowy odczyt 4 KB 850000 IOPS Niezawodność MTBF 1 500 000 godzin Rozbudowa i łączność Zgodna zatoka M.2 2280 Zasilanie Pobór mocy 4,3 W (odczyt) 4,2 W (zapis) 60 mW (tryb gotowości) 5 mW (tryb uśpienia) Oprogramowanie i wymagania systemowe Oprogramowanie w zestawie Oprogramowanie Samsung Magician Różne Materiał obudowy Powłoka niklowa Warunki środowiskowe Min. temperatura pracy 0 °C Maks. temperatura pracy 70 °C Tolerancja na wstrząsy Temperatura pracy 70 °C Odporność na wstrząsy (nie podczas pracy) 1500 g @ 0,5 ms Odporność na wibracje (nie podczas pracy) 20 g @ 20-2000 Hz

Samsung

POJEMNOŚĆ 1 TB FORMAT M2 2280 INTERFEJS PCIe Gen 4.0 x 4, NVMe 1.4 ODCZYT 7150 Mb/s ZAPIS 6300 Mb/s Niezawodność (MTBF): 1 500 000 godz.

Szybsze wykonywanie zadań. 990 EVO Plus z najnowszą pamięcią NAND oferuje ulepszone prędkości sekwencyjnego odczytu/zapisu do 7150/6300 MB/s. Ogromne pliki są przesyłane błyskawicznie. Cechy Świeża moc przez cały okres użytkowania...

Samsung 990 EVO Plus SSD 1TB M.2 PCIe Gen4/Gen5 NVMe Wewnętrzny moduł półprzewodnikowy

MINIX PELE - BRAZYLIA 1. ZESTAW