Samsung MZ-V9S4T0, 4 TB, M.2, 7250 MB/s

Spektakularna prędkość każdego dnia
Skończ swoją listę rzeczy do zrobienia szybciej. 990 EVO Plus z najnowszą pamięcią NAND oferuje jeszcze lepsze prędkości sekwencyjnego odczytu/zapisu do 7 250/6 300 MB/s. Super duże pliki, bezpośredni transfer.

Wystarczające chłodzenie na cały dzień
Lepsza wydajność, większa wydajność. Niklowany kontroler zapewnia o 73% więcej MB/s na wat i oferuje ten sam poziom wydajności i kontroli termicznej przy mniejszym zużyciu energii. Koniec z przegrzewaniem i martwieniem się o rozładowaną baterię. Możesz skupić się na pracy lub zabawie.

Dodatkowa przestrzeń. Wyjątkowo szybki.
Wykorzystaj pełną moc swojego dysku twardego dzięki ulepszonemu inteligentnemu Turbowrite 2.0. Szybsze przetwarzanie dużych ilości danych i ładowanie ciężkich grafik dzięki większej przestrzeni dla Turbowrite. Teraz z pojemnością nie mniejszą niż 4 TB.

Oprogramowanie Samsung Magician
Odkryj magiczną moc swojego dysku SSD. Oprogramowanie Samsung Magician to pakiet narzędzi optymalizacyjnych, który zawsze zapewnia najlepszą wydajność dysku SSD. Bezpieczny i łatwy sposób na migrację wszystkich danych w celu uaktualnienia dysku SSD Samsung. Chroń cenne dane, kontroluj stan sterownika monitora i otrzymuj najnowsze aktualizacje oprogramowania układowego.

Wprowadzanie innowacji w życie
Pamięć flash NAND firmy Samsung jest podstawą rewolucyjnych technologii, które od dziesięcioleci zmieniają wszystkie aspekty naszego codziennego życia. Ta pamięć flash NAND jest również podstawą naszych dysków SSD dla klientów, a zatem kolejnym wiodącym osiągnięciem.

Wydajność
Raporty odczytu sekwencyjnego do 7 250 MB/s, nie mniej niż 45% szybciej niż w poprzednim modelu.

Wydajna pojemność
73% bardziej energooszczędny dla większej liczby MB/s na wat bez poświęcania wydajności i kontroli termicznej.

Wszechstronność
Do 4 TB dodatkowej pojemności i szybki inteligentny Turbowrite 2.0 z większą przestrzenią Turbowrite

. 990 EVO Plus z najnowszą pamięcią NAND oferuje jeszcze lepsze prędkości sekwencyjnego odczytu/zapisu do 7 250/6 300 MB/s. Super duże pliki, bezpośredni transfer,

zwiększona wydajność, większa wydajność. Niklowany kontroler zapewnia o 73% więcej MB/s na wat i oferuje ten sam poziom wydajności i kontroli termicznej przy mniejszym zużyciu energii. Koniec z przegrzewaniem i martwieniem się o rozładowaną baterię.

Wykorzystaj pełną moc swojego dysku twardego dzięki ulepszonemu, inteligentnemu Turbowrite 2.0. Szybsze przetwarzanie dużych ilości danych i ładowanie ciężkich grafik dzięki większej przestrzeni dla Turbowrite. Teraz z pojemnością nie mniejszą niż 4 TB

, odkryj magiczną moc swojego dysku SSD. Oprogramowanie Samsung Magician to zestaw narzędzi optymalizacyjnych, które zawsze zapewniają najlepszą wydajność dysku SSD. Bezpieczny i łatwy sposób na migrację wszystkich danych w celu uaktualnienia dysku SSD Samsung. Chroń cenne dane, kontroluj stan sterownika monitora i otrzymuj najnowsze aktualizacje oprogramowania układowego.

Pamięć flash NAND firmy Samsung jest podstawą rewolucyjnych technologii, które od dziesięcioleci zmieniają wszystkie aspekty naszego codziennego życia. Ta pamięć flash NAND jest również podstawą naszych dysków SSD dla klientów, a zatem kolejnym wiodącym osiągnięciem

.Sekwencyjne raporty odczytu do 7250 MB / s, nie mniej niż 45% szybciej niż poprzedni model.

73% bardziej energooszczędny dla większej liczby MB / s na wat bez ustępstw w zakresie wydajności i kontroli termicznej.

Do 4 TB dodatkowej pojemności i szybki inteligentny Turbowrite 2.0 z większą przestrzenią Turbowrite.

Pojemność pamięci SSD:

4 TB

Rozmiar kieszeni dysku SSD:

M.2

Interfejs:

PCI Express 4.0

NVMe:

Tak

Typ pamięci:

V-NAND TLC

Przeznaczenie:

PC

Szyfrowanie sprzętu:

Tak

NVMe wersja:

2.0

Szyfrowanie / bezpieczeństwo:

256-bit AES

Rozmiar dysku SSD M.2:

2280 (22 x 80 mm)

Prędkość odczytu z nośnika:

7250 MB/s

Prędkość zapisu nośnika:

6300 MB/s

Losowy odczyt (4KB):

1050000 IOPS

Losowy zapis (4KB):

1400000 IOPS

Obsługa DevSlp (uśpienia urządzenia):

Tak

Obsługa S.M.A.R.T.:

Tak

Wsparcie TRIM:

Tak

MTBF (Średni okres międzyawaryjny):

1500000 h

Napięcie pracy:

3,3 V

Pobór mocy (odczyt):

5,5 W

Pobór mocy (zapis):

4,8 W

Pobór mocy (bezczynny):

0,06 W

Zużycie energii DevSlp (uśpienia urządzenia):

5 mW

Szerokość produktu:

80,2 mm

Głębokość produktu:

2,38 mm

Wysokość produktu:

80,2 mm

Waga produktu:

9 g

Szerokość opakowania:

148 mm

Głębokość opakowania:

100 mm

Wysokość opakowania:

22 mm

Waga wraz z opakowaniem:

70 g

Zakres temperatur (eksploatacja):

0 - 70 °C

Wstrząsy podczas pracy:

1500 G

Niesamowita szybkość - każdego dnia
Wykonuj zadania z prędkością błyskawicy. 990 EVO Plus z najnowszą pamięcią NAND oferuje zoptymalizowane prędkości sekwencyjnego odczytu/zapisu do 7 250/6 300 MB/s. Ogromne pliki, natychmiastowy transfer.

Zapobiegaj przedostawaniu się dysku SSD do czerwonej strefy.
Zoptymalizowana wydajność - zwiększona wydajność. Niklowany sterownik zwiększa MB/s na wat o 73%, osiągając ten sam poziom wydajności i zarządzania termicznego przy mniejszym zużyciu energii. Zachowaj koncentrację podczas pracy lub grania - nie martwiąc się o przegrzanie lub żywotność baterii.

Dodatkowa przestrzeń. Dodatkowa prędkość
Wykorzystaj w pełni swój dysk dzięki ulepszonej technologii Intelligent TurboWrite 2.0. Przetwarzaj duże ilości danych szybciej i poruszaj się po ciężkiej grafice łatwo i elegancko dzięki rozszerzonemu obszarowi TurboWrite, teraz dostępnemu z 4 TB pojemności.

Kluczowe korzyści:
- Wydajność: prędkość odczytu sekwencyjnego do 7 250 MB/s - 45% szybciej niż 990 EVO
- Efektywność energet yczna: Efektywność energetyczna poprawiona o 73% dla większej liczby MB/s na wat-rok przy zachowaniu wydajności i zarządzania termicznego.
- Wszechstronność : Zwiększona pojemność do 4 TB i szybki IntelligentTurboWrite 2.0 z rozszerzonym obszarem TurboWrite.

Parametry i specyfikacja:
Pojemność 4000 GB
M.2 (2280)
PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Oprogramowanie: Oprogramowanie do zarządzania Magician SSD

Pamięć podręczna: HMB (bufor pamięci hosta)
Pamięć wewnętrzna: Samsung V-NAND TLC

Prędkość sekwencyjna:
- 7 250 MB/s Odczyt: 7 250 MB/s
- Zapis: 6300 MB/s

Maksymalna liczba losowych operacji odczytu i zapisu we/wy na sekundę:
- Odczyt: 850 000 IOPS (4 kB, QD32)
- Zapis: 1 350 000 IOPS (4 kB, QD32)

Niezawodność (MTBF): 1,5 miliona godzin niezawodności (MTBF)

Inne:
- TRIM
- S.M.A.R.T
- GC (Garbage Collection) - automatyczne
- Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0)TCG/Opal IEEE1667 (szyfrowany dysk)
- Obsługa trybu uśpienia urządzenia
- Inteligentny Turbowrite 2.0

Wymiary: 80,15 x maks. 22,15 x maks. 2,38 mm
Waga: 9 g

Podstawowe funkcje Zastosowanie Pojemność: 4000 GB (1 GB = 1 miliard bajtów na IDEMA) * Rzeczywista pojemność użytkowa może być mniejsza (ze względu na formatowanie, partycjonowanie, system operacyjny, aplikacje itp.) Konstrukcja: M.2 (2280) Interfejs: PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0 Wymiary (szer. x wys. x gł.): 80,15 x 22,15 x 2,38 (mm) Waga: maks. 9,0 g Pamięć masowa: Samsung V-NAND TLC Wewnętrzny kontroler Samsung Pamięć podręczna: HMB (Host Memory Buffer)

Funkcje specjalne Obsługa TRIM: Obsługiwane Obsługa funkcji S.M.A.R.T: Obsługiwana GC (Garbage Collection): Algorytm automatycznego zbierania śmieci Obsługa szyfrowania: 256-bitowy AES (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany) Obsługa WWN: Nie jest obsługiwana Obsługa trybu uśpienia urządzenia: Tak

Wydajność Odczyt sekwencyjny: do 7250 MB/s * Wydajność może się różnić w zależności od konfiguracji sprzętowej i systemowej Zapis sekwencyjny: Do 6300 MB/s * Wydajność może się różnić w zależności od konfiguracji sprzętowej i systemowej Odczyt losowy (4KB, QD32): do 1 050 000 IOPS * Wydajność może się różnić w zależności od konfiguracji sprzętowej i systemowej Losowy zapis (4KB, QD32): do 1 400 000 IOPS * Wydajność może się różnić w zależności od konfiguracji sprzętowej i systemowej

Środowisko Średni pobór mocy (na poziomie systemu): * Średnio: 5,5 W przy odczycie / 4,8 W przy zapisie * Rzeczywisty pobór mocy może się różnić w zależności od konfiguracji sprzętu i systemu Pobór mocy (bezczynność): typowo 60 mW * Rzeczywisty pobór mocy może się różnić w zależności od konfiguracji sprzętu i systemu Pobór mocy (uśpienie urządzenia): typowo 5 mW * Rzeczywisty pobór mocy może się różnić w zależności od konfiguracji sprzętu i systemu Dopuszczalne napięcie: 3,3 V ± 5% Dopuszczalne napięcie Niezawodność (MTBF): 1,5 miliona godzin niezawodności (MTBF) Temperatura pracy: 0-70°C Wstrząsy: 1500 G i 0,5 ms (pół sinusa) Zestaw instalacyjny: Nie

Oprogramowanie Oprogramowanie do zarządzania: SSD Management Software Magician

Samsung 990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD 4TB. Pojemność SSD: 4 TB, Format SSD: M.2, Prędkość odczytu: 7250 MB/s, Prędkość zapisu: 6300 MB/s, Kompatybilność: PC

Cechy

• Komponent dla:
• PCRead Odczyt
• losowy
• (4KB):850000
• IOPrędkość odczytu:7150 MB/sInterfejs
• :PCI Express 4.0Wersja
• NVMe: 2.0 i Zapis:10B:130R IOPObsługa
• TRIM:TakPrędkość zapisu
• :6300
• MB/sTyp pamięci:V-NAND TLCNVMe
• :TakRozmiar
• M.2
• SSD: 2280 (22 x 80 mm)
• Pojemność SSD: 4 TBBity:25
  • AES
  • SecuritySmart
  • Support
  • :TakSzyfrowanie
  • sprzętowe
  • :TakFormat
  • SSD: M.2Średni
• czas między awariami (MTBF):1500000 h

Warunki pracy

• Temperatura pracy (0 - 0TT) °C

Waga i wymiary

• Waga: 9 g
• Głębokość: 2,38 mm
• Szerokość: 80,2 mm
• Wysokość: 22,1 mm

Specyfikacja produktu:

• Pojemność: 4 TB
• Rozmiar: M.2
• Interfejs: PCI Express 4.0

Nr producenta: MZ-V9S4T0BW

• Kod producenta: MZ-V9S4T0BW
• Rodzina dysków: 990 EVO Plus
• Pojemność dysku: 4 TB
• Format dysku: M.2 2280
• Typ dysku: SSD
• Typ kości pamięci: V-NAND
• Technika zapisywania danych: TLC
• Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
• Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
• Interfejs: M.2 PCIe NVMe
• Prędkość odczytu (max): 7250 MB/s
• Prędkość zapisu (max): 6300 MB/s
• TBW (ang. Total Bytes Written): 2400.0
• Odczyt losowy: 1050000 IOPS
• Zapis losowy: 1400000 IOPS
• Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
• Informacje dodatkowe: Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)
• ]: 60

Technical details:
Producer - Samsung

POJEMNOŚĆ 4 TB FORMAT M2 2280 INTERFEJS PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3 ODCZYT 7250 Mb/s ZAPIS 6300 Mb/s Niezawodność (MTBF): 1 500 000 godzin.

4TB Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus Retail - dysk SSD Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus o pojemności 4 TB w opakowaniu detalicznym.

Szybsze wykonywanie zadań. 990 EVO Plus z najnowszą pamięcią NAND oferuje ulepszone prędkości sekwencyjnego odczytu/zapisu do 7150/6300 MB/s. Ogromne pliki są przesyłane błyskawicznie. Cechy Świeża moc przez cały okres użytkowania...

MINIX BRIDGERTON - PENELOPE FEATHERINGTON

Samsung 990 EVO Plus SSD 4TB M.2 PCIe Gen4/Gen5 NVMe Wewnętrzny moduł półprzewodnikowy