BRAINZAP 4GB DDR3 1600MHz PC3L-12800S SO-DIMM CL11 2Rx8 1.35V, pamięć RAM bez bufora, nie ECC, dla laptopów i notebooków. Moduł pamięci

Nasz 4GB DDR3 SO-DIMM moduł pamięci RAM o numerze artykułu BS-D3-4G-SO-1600-2RX8-L jest produkowany zgodnie z rygorystycznymi standardami jakości i poddawany kompleksowym testom przed wysyłką. Działa przy napięciu 1.35V (kompatybilny również ze slotami 1.5V).

Częstotliwość pamięci RAM wynosi 1600 MHz i jest wstecznie kompatybilna z 1333 MHz, 1066 MHz i 800 MHz.

Nasze moduły RAM w 100% spełniają specyfikacje JEDEC. Moduł pamięci jest zaprogramowany zgodnie ze specyfikacją JEDEC PC3L-12800S-11. Opóźnienie pamięci wynosi CL11.

Moduł pamięci jest zorganizowany jako Dual-Rank (2Rx8) dla maksymalnej kompatybilności. Ponadto, pamięć RAM jest niebuforowana i nieobsługuje ECC, co zapewnia bezproblemową pracę w większości urządzeń.

Dane techniczne

• Numer artykułu: BS-D3-4G-SO-1600-2RX8-L
• EAN: 4262360570234
• Typ pamięci: DDR3
• Forma: SO-DIMM (204-pin)
• Całkowita pojemność: 4GB
• Częstotliwość pamięci: 1600 MHz
• Specyfikacja JEDEC: PC3L-12800S-11
• Opóźnienie: CL11
• Napięcie: 1.35V (kompatybilny również ze slotami 1.5V)
• Organizacja układu: Dual-Rank (2Rx8)
• ECC: Non-ECC
• Buforowane/Rejestrowane: Niebuforowane
• Kompatybilność: Wstecznie kompatybilne z 1333 MHz, 1066 MHz i 800 MHz
• Zastosowanie: Laptopy, notebooki i kompaktowe systemy (np. Mini-PC i NUC)

Niezależnie od tego, czy jest to modernizacja pamięci RAM, czy wymiana istniejącej pamięci, zwiększenie ilości pamięci RAM znacząco przyspiesza działanie systemu: krótszy czas ładowania, płynniejsze działanie wielozadaniowe i większy zapas zasobów dla wymagających aplikacji.

W naszych modułach pamięci RAM używamy wyłącznie oryginalnych chipów renomowanych marek (preferowane: Samsung, Micron i SK Hynix) na płytkach drukowanych o 8 warstwach, z pozłacanymi stykami. Każdy moduł pamięci jest indywidualnie testowany przed wysyłką.

Pamięć RAM jest dostarczana w naszym innowacyjnym opakowaniu kartonowym: 95% mniej plastiku, około 90% mniejszy ślad węglowy i w pełni nadający się do recyklingu.

BRAINZAP to niemiecka marka, specjalizująca się w wysokiej jakości pamięci RAM: niemiecka spółka z ograniczoną odpowiedzialnością, wsparcie techniczne w języku niemieckim z Niemiec.

• KOMPATYBILNOŚĆ – 4GB DDR3 SO-DIMM pamięci RAM o częstotliwości 1600 MHz: kompatybilna wstecznie z 1333 MHz, 1066 MHz i 800 MHz, automatycznie dostosowuje się do wolniejszych systemów i działa w niemal każdej płycie głównej z odpowiednim gniazdem DDR3.
• WYDAJNOŚĆ – Specyfikacja JEDEC PC3L-12800S-11, opóźnienie CL11, napięcie 1.35V: Dual-Rank 2Rx8, buforowana pamięć SO-DIMM Non-ECC zapewniająca stabilną wydajność i maksymalną kompatybilność z urządzeniami.
• JAKOŚĆ – Oryginalne chipy renomowanych marek (preferowane: Samsung, Micron, SK Hynix) na wysokiej jakości płytce drukowanej o 8 warstwach, z pozłacanymi stykami, zapewniające najlepszą jakość sygnału i długą żywotność.
• ZASTOSOWANIE – Idealna pamięć do modernizacji laptopów, komputerów przenośnych i kompaktowych systemów (np. mini-PC i NUC): instalacja zajmuje kilka minut, moduł jest automatycznie wykrywany i nie wymaga aktualizacji BIOS.
• NIEMIECKA MARKA – BRAINZAP to niemiecka marka z niemieckim wsparciem technicznym z Niemiec.