BRAINZAP 16 GB pamięci RAM DDR3 SO-DIMM PC3L-12800S 2Rx8 1600 MHz 1,35 V CL11 do laptopów (2x 8 GB)

Opis produktu

Nasz zestaw pamięci RAM DDR3 o pojemności 16 GB składa się z 2 modułów o pojemności 8 GB każdy o numerze artykułu BS-D3-16GK2-SO-1600-2RX8-L pracuje przy napięciu 1,35 V i 1,5 V oraz jest produkowany i testowany zgodnie z najwyższymi standardami jakości.

Częstotliwość pamięci wynosi 1600 MHz i jest wstecznie kompatybilna z 1333 MHz i 1066 MHz.

Marka BRAINZAP jest zarejestrowana w JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), a nasze moduły pamięci są w 100% zgodne ze specyfikacjami JEDEC. Moduły pamięci są certyfikowane zgodnie ze specyfikacją JEDEC PC3L-12800S-11. Odpowiednie opóźnienie pamięci to CL11.

Moduły pamięci są dwustronne (Dual-Rank 2Rx8) dla maksymalnej kompatybilności. Moduły pamięci są niebuforowane i non-ECC, dzięki czemu działają płynnie w większości urządzeń.

Używamy wyłącznie markowych chipów (najlepiej Samsung, Micron i SK Hynix). Na wszystkie nasze moduły pamięci udzielamy dożywotniej gwarancji. Więcej informacji na temat gwarancji można znaleźć w sekcji

• Nowa pamięć.
• Markowe chipy (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)
• Kompatybilne z większością notebooków z pamięcią DDR3.
• Przykładowy obraz. Wygląd może się różnić.

Szczegóły produktu

• EAN: 4262360571118
• Typ pamięci: DDR3 RAM
• Marka: BRAINZAP
• Modellnummer: BS-D3-8G-SO-1600-2RX8-L
• Kompatybilny z: Notebooki - Intel i AMD
• Częstotliwość pamięci: 1600 MHz
• Pojemność modułu: 8 GB
• Liczba modułów: 2
• Całkowita pojemność: 16 GB
• Speicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11
• Standard JEDEC: PC3L-12800S
• Typ: SO DIMM 204-pin
• Niebuforowane: tak
• ECC: nie
• Zarejestrowane: nie
• Napięcie: 1,35 V
• Opóźnienie (CL): 11
• Układ pamięci: 2Rx8