BRAINZAP 4GB DDR3 1600MHz PC3-12800S SO-DIMM CL11 2Rx8 1.5V, pamięć RAM bez bufora, nieekorowana, przeznaczona do laptopów i notebooków. Moduł pamięci

Nasz 4GB DDR3 SO-DIMM moduł pamięci RAM o numerze artykułu BS-D3-4G-SO-1600-2RX8-N jest produkowany zgodnie z rygorystycznymi standardami jakości i poddawany kompleksowym testom przed wysyłką. Działa przy napięciu 1,5V.

Częstotliwość pamięci RAM wynosi 1600 MHz i jest kompatybilna wstecz z 1333 MHz, 1066 MHz i 800 MHz.

Nasze moduły RAM w 100% spełniają specyfikacje JEDEC. Moduł pamięci jest zaprogramowany zgodnie ze specyfikacją JEDEC PC3-12800S. Opóźnienie pamięci wynosi CL11.

Moduł pamięci jest zorganizowany jako Dual-Rank (2Rx8) w celu zapewnienia maksymalnej kompatybilności. Ponadto, pamięć RAM jest niebuforowana i nieobsługuje ECC, co zapewnia jej bezproblemową pracę w większości urządzeń.

Dane techniczne

• Numer artykułu: BS-D3-4G-SO-1600-2RX8-N
• EAN: 4262360570623
• Typ pamięci: DDR3
• Forma: SO-DIMM (204-pin)
• Całkowita pojemność: 4GB
• Częstotliwość pamięci: 1600 MHz
• Specyfikacja JEDEC: PC3-12800S
• Opóźnienie: CL11
• Napięcie: 1.5V
• Organizacja układu: Dual-Rank (2Rx8)
• ECC: Non-ECC
• Buforowana/Rejestrowana: Niebuforowana
• Kompatybilność: Kompatybilna wstecz z 1333 MHz, 1066 MHz i 800 MHz
• Zastosowanie: Laptopy, notebooki i kompaktowe systemy (np. Mini-PC i NUC)

Niezależnie od tego, czy jest to modernizacja pamięci RAM, czy wymiana istniejącej pamięci, zwiększenie ilości pamięci RAM znacząco przyspiesza działanie systemu: krótszy czas ładowania, płynniejsze wielozadaniowość i większy zapas mocy dla wymagających aplikacji.

W naszych modułach pamięci RAM używamy wyłącznie oryginalnych chipów renomowanych marek (preferowane: Samsung, Micron i SK Hynix) na płytkach drukowanych 8-warstwowych, z pozłacanymi stykami. Każdy moduł pamięci jest indywidualnie testowany przed wysyłką.

Pamięć RAM jest dostarczana w naszym innowacyjnym opakowaniu kartonowym: 95% mniej plastiku, około 90% mniejszy ślad węglowy i w pełni nadający się do recyklingu.

BRAINZAP to niemiecka marka, specjalizująca się w wysokiej jakości pamięci RAM: niemiecka spółka z ograniczoną odpowiedzialnością, wsparcie techniczne w języku niemieckim z Niemiec.

• KOMPATYBILNOŚĆ – 4GB pamięci DDR3 SO-DIMM o częstotliwości 1600 MHz: kompatybilna wstecznie z 1333 MHz, 1066 MHz i 800 MHz, automatycznie dostosowuje się do wolniejszych systemów i działa w niemal każdej płycie głównej z odpowiednim slotem DDR3.
• WYDAJNOŚĆ – Specyfikacja JEDEC PC3-12800S, opóźnienie CL11, napięcie 1.5V: Dual-Rank 2Rx8, buforowana pamięć SO-DIMM Non-ECC zapewniająca stabilną wydajność i maksymalną kompatybilność z urządzeniami.
• JAKOŚĆ – Oryginalne chipy renomowanych marek (preferowane: Samsung, Micron, SK Hynix) na wysokiej jakości płytce drukowanej 8-warstwowej, z pozłacanymi stykami, zapewniające najlepszą jakość sygnału i długą żywotność.
• ZASTOSOWANIE – Idealna pamięć do modernizacji laptopów, komputerów przenośnych i kompaktowych systemów (np. mini-PC i NUC): instalacja zajmuje kilka minut, moduł jest automatycznie wykrywany i nie wymaga aktualizacji BIOS.
• NIEMIECKA MARKA – BRAINZAP to niemiecka marka z niemieckim wsparciem technicznym z Niemiec.