BRAINZAP 4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333 MHz 1.5V CL9 Pamięć do laptopów do notebooków

Opis produktu

Nasz moduł pamięci RAM DDR3 o pojemności 4 GB o numerze artykułu BS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N działa przy napięciu 1,5 V i jest produkowany i testowany zgodnie z najwyższymi standardami jakości.

Częstotliwość pamięci wynosi 1333 MHz i jest wstecznie kompatybilna z 1066 MHz.

Marka BRAINZAP jest zarejestrowana w JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), a nasze moduły pamięci są w 100% zgodne ze specyfikacjami JEDEC. Moduł pamięci jest zaprogramowany zgodnie ze specyfikacją JEDEC PC3-10600S-9. Odpowiednie opóźnienie pamięci to CL9.

Moduł pamięci jest dwustronny dla maksymalnej kompatybilności (Dual-Rank 2Rx8). Moduł pamięci jest niebuforowany i nieECC, dzięki czemu działa bez problemów w większości urządzeń.

Używamy tylko markowych chipów (najlepiej Samsung, Micron i SK Hynix). Na wszystkie nasze moduły pamięci udzielamy dożywotniej gwarancji. Więcej informacji na temat gwarancji można znaleźć w sekcji

• Nowa pamięć.
• Markowe chipy (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)
• Kompatybilne z większością notebooków z pamięcią DDR3.
• Przykładowy obraz. Wygląd może się różnić.

Szczegóły produktu

• EAN: 4262360570210
• Typ pamięci: DDR3 RAM
• Marka: BRAINZAP
• Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
• Kompatybilny z: Notebooki - Intel i AMD
• Częstotliwość pamięci: 1333 MHz
• Pojemność modułu: 4 GB
• Liczba modułów: 1
• Całkowita pojemność: 4 GB
• Specyfikacja pamięci: PC3-10600S-9
• Standard JEDEC: PC3-10600S
• Typ: SO DIMM 204-pin
• Niebuforowana: tak
• ECC: nie
• Zarejestrowane: nie
• Napięcie: 1,5 V
• Opóźnienie (CL): 9
• Rozmieszczenie układów: 2Rx8