Samsung MZ-V9S2T0 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Zaoszczędź 20 zł
Zarejestruj się, wyraź zgodę na otrzymywanie wiadomości z informacjami handlowymi i zaoszczędź 20 zł.

1 353,99 zł

+ 12,99 zł za wysyłkę

Kraj wysyłki: Polska

śr. 20 – pt. 22 maja

Bezpłatny zwrot towaru – 14 dni

Więcej o produkcie

Opis i dane produktu

Spektakularna prędkość na co dzień
Szybsze wykonywanie zadań. 990 EVO Plus z najnowszą pamięcią NAND oferuje zwiększone prędkości sekwencyjnego odczytu/zapisu do 7 250/6 300 MB/s. Ogromne pliki, natychmiastowy transfer.

Zachowaj chłód i moc przez cały dzień
Zoptymalizowana wydajność, zwiększona wydajność. Pokryty niklem kontroler zwiększa MB/s na wat o 73% w porównaniu do 990 EVO, osiągając ten sam poziom mocy i kontroli termicznej przy mniejszym zużyciu energii. Skoncentruj się na pracy lub zabawie, nie martwiąc się o przegrzanie lub żywotność baterii.

Dodatkowa przestrzeń. Dodatkowa prędkość.
Wykorzystaj pełną moc swojego dysku dzięki ulepszonej technologii Intelligent TurboWrite 2.0. Przetwarzaj ogromne ilości danych szybciej i radź sobie z ciężką grafiką dzięki powiększonemu regionowi TurboWrite, teraz dostępnemu w pojemności 4 TB.

Oprogramowanie Samsung Magician
Spraw, aby Twój dysk SSD działał jak magia. Narzędzia optymalizacyjne oprogramowania Samsung Magician zapewniają najlepszą wydajność dysku SSD. To bezpieczny i łatwy sposób na migrację wszystkich danych w celu uaktualnienia dysku SSD Samsung. Chroń cenne dane, monitoruj stan dysku i otrzymuj najnowsze aktualizacje oprogramowania układowego.

Ożywianie innowacji
Przez dziesięciolecia pamięć flash NAND firmy Samsung napędzała przełomowe technologie, które zmieniły każdą część naszego codziennego życia. Ta technologia NAND flash napędza również nasze konsumenckie dyski SSD, robiąc miejsce na kolejne innowacje.

Wydajność
Szybkość sekwencyjnego odczytu do 7250 MB/s, o 45% większa niż w poprzednim modelu 990 EVO.

Wydajność energetyczna
Wydajność energetyczna zwiększona o 73% w porównaniu do modelu 990 EVO, aby uzyskać więcej MB/s na wat, przy zachowaniu wydajności i kontroli termicznej.

Wszechstronność
Pojemność do 4 TB i szybki inteligentny TurboWrite 2.0.Samsung MZ-V9S2T0. Pojemność SSD: 2 TB, Format SSD: M.2, Prędkość odczytu: 7150 MB/s, Prędkość zapisu: 6300 MB/s, Komponent do: PC



BestDigit ma przyjemność zaprezentować Samsung 990 EVO Plus SSD M.2 2TB PCIe 4.0 NVMe, najnowocześniejszy dysk pamięci masowej, który na nowo definiuje standardy szybkości i wydajności. Ten dysk SSD o pojemności 2 TB został zaprojektowany z myślą o najbardziej wymagających profesjonalistach i entuzjastach technologii, którzy oczekują najwyższej wydajności.

Sercem tego urządzenia jest technologia NVMe PCIe 4.0, która oferuje niezwykłe prędkości transferu danych. Dzięki sekwencyjnej prędkości odczytu do 7150 MB/s i prędkości zapisu 6300 MB/s, Samsung 990 EVO Plus jest na szczycie swojej klasy, zapewniając błyskawiczne czasy ładowania i niespotykaną responsywność systemu.

  • Pojemność: 2 TB przestrzeni dyskowej
  • Interfejs: PCIe 4.0 x4, NVMe 2.0
  • Format: M.2 2280
  • Technologia pamięci: V-NAND TLC
  • Szyfrowanie sprzętowe: AES 256-bit

Najnowsza generacja szybkich pamięci V-NAND TLC zapewnia nie tylko wyjątkową wydajność, ale także doskonałą długoterminową niezawodność. Przekłada się to na dłuższą żywotność urządzenia i większy spokój użytkownika.

Samsung 990 EVO Plus jest szczególnie odpowiedni do zastosowań wymagających wysokiej wydajności, takich jak edycja wideo 4K/8K, renderowanie 3D i gry na wysokim poziomie. Jego zdolność do obsługi intensywnych obciążeń sprawia, że jest to idealny wybór dla profesjonalnych stacji roboczych i wysokiej klasy systemów do gier.

Kompatybilność z protokołem NVMe 2.0 zapewnia zoptymalizowane zarządzanie zasobami systemowymi, poprawiając efektywność energetyczną i ogólną wydajność. Dodatkowo obsługa technologii S.M.A.R.T. i TRIM zapewnia stałe monitorowanie stanu dysku i inteligentne zarządzanie przestrzenią dyskową.

BestDigit, zgodnie ze swoim zaangażowaniem w doskonałość technologiczną, oferuje ten dysk Samsung SSD jako rozwiązanie premium dla tych, którzy nie chcą rezygnować z szybkości i niezawodności. Nasze doświadczenie w branży pozwala nam zagwarantować, że produkt ten spełni oczekiwania nawet najbardziej wymagających klientów.

Podsumowując, Samsung 990 EVO Plus reprezentuje najwyższą klasę dysków SSD NVMe. Jeśli szukasz dysku, który nadąży za Twoimi ambicjami zawodowymi lub pasjami gamingowymi, to jest to produkt dla Ciebie. Nie przegap okazji, aby przenieść wydajność swojego systemu na wyższy poziom dzięki BestDigit i Samsung.



Niesamowita szybkość - każdego dnia
Wykonuj zadania z prędkością błyskawicy. 990 EVO Plus z najnowszą pamięcią NAND oferuje zoptymalizowane prędkości sekwencyjnego odczytu/zapisu do 7 250/6 300 MB/s. Ogromne pliki, natychmiastowy transfer.

Zapobiegaj przedostawaniu się dysku SSD do czerwonej strefy.
Zoptymalizowana wydajność - zwiększona wydajność. Niklowany sterownik zwiększa MB/s na wat o 73%, osiągając ten sam poziom wydajności i zarządzania termicznego przy mniejszym zużyciu energii. Zachowaj koncentrację podczas pracy lub grania - nie martwiąc się o przegrzanie lub żywotność baterii.

Dodatkowa przestrzeń. Dodatkowa prędkość
Wykorzystaj w pełni swój dysk dzięki ulepszonej technologii Intelligent TurboWrite 2.0. Przetwarzaj duże ilości danych szybciej i poruszaj się po ciężkiej grafice łatwo i elegancko dzięki rozszerzonemu obszarowi TurboWrite, teraz dostępnemu z 4 TB pojemności.

Kluczowe korzyści:
- Wydajność: prędkość odczytu sekwencyjnego do 7 250 MB/s - 45% szybciej niż 990 EVO
- Efektywność energet yczna: Efektywność energetyczna poprawiona o 73% dla większej liczby MB/s na wat-rok przy zachowaniu wydajności i zarządzania termicznego.
- Wszechstronność: Zwiększona pojemność do 4 TB i szybki IntelligentTurboWrite 2.0 z rozszerzonym obszarem TurboWrite.

Parametry i specyfikacja:
Pojemność: 2000 GB
M.2 (2280)
PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Oprogramowanie: Oprogramowanie do zarządzania Magician SSD

Pamięć podręczna: HMB (bufor pamięci hosta)
Pamięć wewnętrzna: Samsung V-NAND TLC

Prędkość sekwencyjna:
- 7 150 MB/s Odczyt
- Zapis: 6300 MB/s

Maksymalna liczba losowych operacji odczytu i zapisu we/wy na sekundę:
- Odczyt: 850 000 IOPS (4 kB, QD32)
- Zapis: 1 350 000 IOPS (4 kB, QD32)

Niezawodność (MTBF): 1,5 miliona godzin niezawodności (MTBF)

Inne:
- TRIM
- S.M.A.R.T
- GC (Garbage Collection) - automatyczne
- Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0)TCG/Opal IEEE1667 (szyfrowany dysk)
- Obsługa trybu uśpienia urządzenia
- Inteligentny Turbowrite 2.0

Wymiary: 80,15 x maks. 22,15 x maks. 2,38 mm
Waga: 9 g





Samsung SSD | 990 EVO Plus | 2000 GB | Format dysku SSD M.2 2280 | Interfejs dysku półprzewodnikowego NVMe | Prędkość odczytu 7250 MB/s | Prędkość zapisu 6300 MB/sSamsungTechnical details:
Producer - Samsung

  • Package features / Gross depth (mm): 90.00 mm
  • Package features / Gross height (mm): 10.00 mm
  • Package features / Gross width (mm): 30.00 mm
  • Package features / Packing quantity: 1.00 szt.
  • Package features / Paper/Pasteboard: 22.00 g
  • Package features / Plastic (No PET): 8.00 g
  • Package features / Tare weight (kg): 0.03 kg
  • Package features / Volume (m3): 0.00 m³
  • Package features / Embeeded battery: No
  • Package features / WEEE tax: CL109:6:2017-04-01
  • Package features / Palette Qty: 25641 szt.
  • Technical details / Gross weight: 0.04 kg
  • Technical details / Net weight: 0.01 kg
  • Technical details / Producer: Samsung
  • Technical details / Producer product name: 990 EVO Plus
  • Technical details / Producer product family: SSD
  • Praca / Pojemność pamięci SSD: 2000 GB
  • Praca / Prędkość zapisu nośnika: 6300 MB/s
  • Praca / Prędkość odczytu z nośnika: 7250 MB/s
  • Praca / Interfejs pamięci SSD: NVMe
  • Design / Rozmiar kieszeni dysku SSD: M.2 2280
  • : 60 miesiąc


Dysk SAMSUNG 990 EVO Plus 2TB SSD



  • Rodzaj dysku: SSD
  • Pojemność dysku: 2 TB
  • Typ dysku: Wewnętrzny
  • Format: M.2
  • Interfejs: PCI Express 4.0 x4 NVMe, PCI Express 5.0 x2 NVMe
  • Kolor: Czarny
  • Maksymalna prędkość: Odczytu 7250 MB/s, Zapisu 6300 MB/s
  • Indeks: 2036832

990 EVO Plus z najnowszą pamięcią NAND oferuje zwiększone prędkości sekwencyjnego odczytu/zapisu do 7,250/ 6,300 MB/s. Natychmiastowy transfer ogromnych plików. Zoptymalizowana wydajność, zwiększone możliwości. Pokryty niklem kontroler zwiększa przepustowość MB/s na wat o 73%, osiągając ten sam poziom mocy i kontroli termicznej przy mniejszym zużyciu energii. Skoncentruj się na pracy lub zabawie bez obaw o przegrzanie lub żywotność baterii.





  • Rodzaj dysku: SSD
  • Pojemność dysku: 2 TB
  • Typ dysku: Wewnętrzny
  • Format: M.2
  • Interfejs: PCI Express 4.0 x4 NVMe, PCI Express 5.0 x2 NVMe
  • Maksymalna prędkość odczytu [Mb/s]: 7250
  • Maksymalna prędkość zapisu [Mb/s]: 6300
  • Prędkość interfejsu: Brak danych
  • Prędkość obrotowa [obr/min]: Nie dotyczy
  • Inne: Funkcja TRIM, NVMe 2.0, Oprogramowanie zarządzające: Samsung Magician, Szyfrowanie 256-bit AES, Technologia Intelligent TurboWrite 2.0, Technologia SMART, Technologia V-NAND, Tryb uśpienia
  • Głębokość [mm]: 22.15
  • Szerokość [mm]: 80.15
  • Wysokość [mm]: 2.38
  • Waga [g]: 9
  • Dołączone akcesoria: Nie dotyczy
  • Załączona dokumentacja: Instrukcja obsługi
  • Kolor: Czarny
  • Kod producenta: MZ-V9S2T0BW


Pojemność pamięci SSD:
2 TB
Rozmiar kieszeni dysku SSD:
M.2
Interfejs:
PCI Express 4.0
NVMe:
Tak
Typ pamięci:
V-NAND TLC
Przeznaczenie:
PC
Szyfrowanie sprzętu:
Tak
NVMe wersja:
2.0
Szyfrowanie / bezpieczeństwo:
256-bit AES
Rozmiar dysku SSD M.2:
2280 (22 x 80 mm)
Prędkość odczytu z nośnika:
7250 MB/s
Prędkość zapisu nośnika:
6300 MB/s
Losowy odczyt (4KB):
1000000 IOPS
Losowy zapis (4KB):
1350000 IOPS
Obsługa DevSlp (uśpienia urządzenia):
Tak
Obsługa S.M.A.R.T.:
Tak
Wsparcie TRIM:
Tak
MTBF (Średni okres międzyawaryjny):
1500000 h
Napięcie pracy:
3,3 V
Pobór mocy (odczyt):
4,6 W
Pobór mocy (zapis):
4,2 W
Średni pobór mocy (odczyt):
4,6 W
Średni pobór mocy (zapis):
4,2 W
Pobór mocy (bezczynny):
0,06 W
Zużycie energii DevSlp (uśpienia urządzenia):
5 mW
Szerokość produktu:
80,2 mm
Głębokość produktu:
2,38 mm
Wysokość produktu:
80,2 mm
Waga produktu:
9 g
Szerokość opakowania:
139 mm
Głębokość opakowania:
102 mm
Wysokość opakowania:
24 mm
Waga wraz z opakowaniem:
70 g
Zakres temperatur (eksploatacja):
0 - 70 °C
Wstrząsy podczas pracy:
1500 G


Ogólne
Typ urządzenia
Dysk półprzewodnikowy - wewnętrzny
Pojemność
2 TB
Szyfrowanie sprzętowe
Tak
Algorytm szyfrowania
256-bitowy AES
Typ pamięci flash NAND
TLC (Triple-Level Cell)
Współczynnik kształtu
M.2 2280
Typ interfejsu
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Cechy
Inteligentna technologia TurboWrite, technologia Samsung V-NAND TLC, obsługa uśpienia urządzenia, bufor pamięci hosta (HMB), obsługa TRIM, algorytm automatycznego zbierania śmieci, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Szerokość
22.15 mm
Głębokość
80.głębokość 15 mm
Wysokość
2.38 mm
Waga
9 g
Wydajność
Wewnętrzna przepustowość danych
7250 MBps (odczyt)/ 6300 MBps (zapis)
Maksymalny losowy zapis 4 KB
1350000 IOPS
Maksymalny losowy odczyt 4 KB
100000000 IOPS
Niezawodność
MTBF
1.500 000 godzin
Rozbudowa i łączność
Kompatybilny panel przełączników
M.2 2280
Zasilanie
Pobór mocy
4.6 W (odczyt)
4,2 W (zapis)
60 mW (tryb gotowości)
5 mW (tryb uśpienia)
Oprogramowanie i wymagania systemowe
Dołączone oprogramowanie
Oprogramowanie Samsung Magician
Różne
Materiał obudowy
Niklowanie
Serwis i wsparcie
Warunki środowiskowe
Minimalna temperatura pracy
0 °C
Maks. Maks. temperatura pracy
70 °C
Tolerancja na wstrząsy (nie podczas pracy)
1500 g przy 0,5 ms
Tolerancja na wibracje (nie podczas pracy)
20 g @ 20-2000 Hz


SAMSUNG
Wewnętrzny dysk twardy M.2 SSD
990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD - 2 TB
Dysk twardy M.2 SSD
Pojemność 2 TB
Interfejs: PCI Express 4.0
Prędkość odczytu 7150 MB/s, prędkość zapisu 6300 MB/s



Cechy



  • Odczyt losowy (4KB):850000 IOPSPerformance
  • TRIM:
  • TakZapis
  • losowy
  • (4KB):1350000
  • IOPSzyfrowanie
  • sprzętowe
  • :Tak
  • A.5. Rozmiar SSD: 2280 (22 x 80 mm)
  • NVMe:TakWersja
  • NVMe:2.0Średni
  • czas między awariami (MTBF):1500000 hKomponent
  • do:PCFormat
  • SSD:M.
  • 247li>Prędkość odczytu:PCI.
  • MB/sTyp pamięci:V-NAND TLCSmart Support
  • :TakPrędkość zapisu
  • :6300 MB/sPojemność
  • : 2 TB

Warunki pracy



  • Temperatura pracy (TTCight):0 - TT><3 °C wymiary

    • Szerokość:80,2 mm
    • Wysokość:22,1 mm
    • Głębokość:2,38 mm
    • Waga:9 g



Specyfikacja produktu:

  • Pojemność: 2 TB
  • Rozmiar: M.2
  • Interfejs: PCI Express 4.0

Nr producenta:MZ-V9S2T0BW



Krótka informacja: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - szyfrowany - 2 TB - wewnętrzny - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 256-bit AES - TCG Opal Encryption 2.0 Group Producent Samsung Producent Art. Nr. art. MZ-V9S2T0BW EAN/UPC 8806095575650 Opis produktu: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - 2 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe) Typ dysku Solid State Drive - wewnętrzny Pojemność 2 TB Szyfrowanie sprzętowe Tak Algorytm szyfrowania 256-Bit-AES Typ pamięci NAND flash TLC (Triple-Level Cell) Współczynnik kształtu M.2 2280 Interfejs PCIe 5.0 x2 (NVMe) Funkcje Inteligentna technologia TurboWrite, Technologia Samsung V-NAND TLC, Obsługa uśpienia urządzenia, Bufor pamięci hosta (HMB), Obsługa TRIM, Algorytm automatycznego zbierania śmieci, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Wymiary (szerokość x głębokość x wysokość) 22,15 mm x 80,15 mm x 2,38 mm Waga 9 g Objaśnienia ogólne Typ urządzenia Dysk półprzewodnikowy - wewnętrzny Pojemność 2 TB Szyfrowanie sprzętowe Tak Algorytm szyfrowania 256-bitowy AES Typ pamięci flash NAND TLC (Triple-Level Cell) Format M.2 2280 Interfejs PCIe 5.0 x2 (NVMe) Funkcje Technologia Intelligent TurboWrite, Technologia Samsung V-NAND TLC, Obsługa uśpienia urządzenia, Bufor pamięci hosta (HMB), Obsługa TRIM, Algorytm automatycznego zbierania śmieci, S.M.A.R.T, IEEE 1667 Szerokość 22,15 mm Głębokość 80,15 mm Wysokość 2,38 mm Waga 9 g Wydajność Wewnętrzna przepustowość danych 7250 MB/s (odczyt)/ 6300 MB/s (zapis) Maksymalny losowy zapis 4 KB 1350000 IOPS Maksymalny losowy odczyt 4 KB 1000000 IOPS Niezawodność MTBF 1 500 000 godzin Rozbudowa i łączność Zgodna zatoka M.2 2280 Zasilanie Pobór mocy 4,6 W (odczyt) 4,2 W (zapis) 60 mW (tryb gotowości) 5 mW (tryb uśpienia) Oprogramowanie i wymagania systemowe Dołączone oprogramowanie Samsung Magician Różne Materiał obudowy Powłoka niklowa Warunki środowiskowe Min. temperatura pracy 0 °C Maks. temperatura pracy 70 °C Tolerancja na wstrząsy Temperatura pracy 70 °C Odporność na wstrząsy (nie podczas pracy) 1500 g @ 0,5 ms Odporność na wibracje (nie podczas pracy) 20 g @ 20-2000 Hz

2TB Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus Retail - szybki i niezawodny dysk SSD firmy Samsung o pojemności 2 TB w formacie M. 2 z interfejsem PCI-E NVMe Gen4.

SSD 2TB Samsung M.2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus retail

Samsung Mz-V9S2T0 2 Tb M.2 Pci Express 4.0 Nvme V-Nand Tlc

Wszechstronny dysk Samsunga: dzięki sekwencyjnym prędkościom odczytu i zapisu wynoszącym odpowiednio do 7250 MB/s i 6300 MB/s¹, Samsung 990 EVO Plus zapewni Ci wszystko - od gier i zadań roboczych po kreatywne projekty. Wewnętrzny dysk SSD jest do 45 procent szybszy niż już szybki 990 EVO². Nawet o 73% wyższa efektywność energetyczna w porównaniu z poprzednim modelem³ zapewnia więcej MB/s na wat i dłuższą żywotność baterii. Dzięki kompatybilności ze standardami połączeń PCIe 4.0 x4 i PCIe 5.0 x2, jesteś również przygotowany na wszechstronność. Etykieta rozpraszająca ciepło skutecznie rozprasza ciepło robocze układu NAND, a zaawansowany algorytm kontroli termicznej, w połączeniu z funkcją Dynamic Thermal Guard, reguluje ciepło dysku SSD - zapewniając niezmiennie wysoką wydajność bez przegrzewania. Wreszcie, dzięki przyjaznemu dla użytkownika oprogramowaniu Samsung Magician, można łatwo zarządzać dyskiem w celu przeprowadzania aktualizacji dysku i optymalizacji wydajności.⁵ ⁶

Szybsze wykonywanie zadań. 990 EVO Plus z najnowszą pamięcią NAND oferuje ulepszone prędkości sekwencyjnego odczytu/zapisu do 7150/6300 MB/s. Ogromne pliki są przesyłane błyskawicznie. Cechy Świeża moc przez cały okres użytkowania...

ZESTAW DO GRY W PIŁKĘ NOŻNĄ MINIX - FC BARCELONA

Więcej informacji można znaleźć na stronie producenta!
Prędkość odczytu
7250 MB/s
Prędkość zapisu
6300 MB/s
Producent
Waga
0.009 kg
Pojemność pamięci masowej
2 TB
Numer producenta
MZ-V9S2T0BW
EAN
8806095575650

Prędkość odczytu
7250 MB/s
Prędkość zapisu
6300 MB/s
Producent
Waga
0.009 kg
Pojemność pamięci masowej
2 TB
Numer producenta
MZ-V9S2T0BW
EAN
8806095575650

Brak opinii klientów

Produkt nie ma jeszcze recenzji.

Polecane dla Ciebie