Analizator komponentów półprzewodnikowych

Automatyczna identyfikacja typu komponentu • Automatyczna identyfikacja wyprowadzeń • Identyfikacja cech specjalnych, takich jak diody zabezpieczające i boczniki rezystorowe • Tranzystory bipolarne: pomiary wzmocnienia i prądu upływu, wykrywanie krzemu i germanu • Pomiar progu bramki dla tranzystorów MOSFET w trybie wzbogacania • Pomiar napięcia przewodzenia półprzewodników dla diod, diod LED i złączy baza-emiter tranzystorów • Automatyczne i ręczne wyłączanie zasilania.

Podstawowe informacje o produkcie: •• Kolory podstawowe: czarny •• Kolory dodatkowe: niebieski •• Głębokość: 20 mm •• Wysokość: 70 mm •• Szerokość: 103 cm •• Waga: 98 g • Dane techniczne: •• Maksymalny szczytowy prąd testowy do układu S/C: 5,5 Ma •• Maksymalne szczytowe napięcie testowe na obwodzie otwartym: 5,1 V •• Specyfikacja diody:

• Prąd testowy: 5,0 Ma
• Dokładność napięcia: -2% -20 Mv do +2% +20 Mv
• Vf do identyfikacji diod LED: 1,50 V - 4,00 V
• Próg zwarcia: 10 Ohm

•• Specyfikacja Scr/triak:

• Prąd testowy bramki: 4,5 Ma
• Prąd testowy obciążenia: 5,0 Ma

•• Specyfikacja tranzystora:

• Zakres wzmocnienia (Hfe): 4 - 65000
• Dokładność wzmocnienia: ± 3 % ± 5 Hfe
• Napięcie testowe Vceo: 2,0 V - 3,0 V
• Dokładność Vbe: -2 % -20 Mv do +2 % +20 Mv
• Vbe dla Darlington (bocznikowany): 0,95 V – 1,80 V (0,75 V – 1,80 V)
• Próg bocznika baza-emiter: 50 Kohm – 70 Kohm
• Bjt Prąd testowy kolektora: 2,45 Ma – 2,55 Ma
• Bjt Dopuszczalne Upływ: 0,7 Ma
• Mosfet:
  • Zakres progu bramki: 0,1 V - 5,0 V
  • Dokładność progu: -2% -20 Mv do +2% +20 Mv
  • Prąd testowy drenu: 2,45 Ma - 2,55 Ma
  • Rezystancja bramki: 8 Kohm
• Prąd testowy drenu zubożenia: 4,5 Ma
• Prąd testowy dren-źródło Jfet: 0,5 Ma - 5,5 Ma

• Dane środowiskowe: •• Zakres temperatur pracy: 0-50 °C • Zasilanie: •• Baterie w zestawie: Nie •• Liczba baterii: 1 •• Napięcie znamionowe baterii: 1,5 V •• Skład baterii: Alkaliczne •• Rozmiar IEC baterii: Aaa (Lr03, R03, Fr03, Hr03, Kr03, Zr03, 24A, 24D, 24Lf, Um4, Micro, Mn2400, MX2400, MV2400).

• automatyczne wykrywanie komponentów
• automatyczne wykrywanie konfiguracji pinów
• Identyfikacja specjalnych cech komponentów, takich jak zabezpieczenie diodowe lub mostki rezystorowe w tranzystorach
• Tranzystory bipolarne: pomiar wzmocnienia i prądu upływu, wykrywanie krzemu i germanu
• Pomiar napięcia progowego na bramce dla tranzystorów MOSFET w trybie wzmocnienia
• Pomiar spadków napięcia półprzewodników dla diod, diod LED i tranzystorów (emitery bazowe)
• automatyczne i ręczne wyłączanie
• Zaprojektowany i wyprodukowany w Wielkiej Brytanii

• Dane techniczne
• Maksymalny szczytowy prąd testowy przy s/c: 5,5 mA
• Maksymalne szczytowe napięcie testowe przy o/s: 5,1 V
• Specyfikacja diody: * Prąd testowy: 5,0 mA * Dokładność napięcia: -2% -20 mV do +2% +20 mV * Vf dla identyfikacji diody: 1,50 V - 4,00 V * Próg zwarcia: 10 omów
• Specyfikacje SCR/Triac: * Prąd testowy bramki: 4,5 mA * Prąd testowy obciążenia: 5,0 mA
• Specyfikacje tranzystora: * Zakres wzmocnienia (Hfe): 4-65000 * Dokładność wzmocnienia: ± 3% ± 5 Hfe * Napięcie testowe Vceo: 2,0 V - 3,0 V * Dokładność Vbe: -2% -20 mV do +2% +20 mV * VBE dla Darlingtona (bocznikowany): 0,95 V - 1,80 V (0,75 V - 1,80 V) * Próg bocznika emitera bazowego: 50 kOhm - 70 kOhm * Prąd testowy kolektora BJT: 2.45 mA - 2,55 mA * Dopuszczalny upływ BJT: 0,7 mA * MOSFET: - Zakres progu bramki: 0,1 V - 5,0 V - Dokładność progu: -2% -20 mV do +2% +20 mV - Prąd testowy drenu: 2,45 mA - 2,55 mA - Rezystancja bramki: 8 kOhm * Prąd testowy drenu zubożenia: 4,5 mA * Prąd testowy dren-źródło-dren-źródło JFET: 0,5 mA - 5,5 mA
• Dane środowiskowe
• Temperatura pracy: 0-50 °C
• Zasilanie: baterie
• Baterie: Nie
• Liczba baterii: 1
• Nominalne napięcie baterii: 1,5 V
• Skład baterii: alkaliczne
• Rozmiar baterii IEC: AAA (LR03, R03, FR03, HR03, KR03, ZR03, 24A, 24D, 24LF, UM4, Micro, MN2400, MX2400, MV2400)
• Podstawowe informacje
• Kolor: Czarny
• Kolor dodatkowy: niebieski
• Głębokość: 20 mm
• Wysokość: 70 mm
• Szerokość: 103 cm
• Waga: 98 g

Zaawansowany analizator półprzewodników, wyświetlacz

graficzny

, wykrywanie tranzystorów MOSFET

,

diod LED, JFET

,

SCR, triaków, złącze USB, oprogramowanie PC w zestawie, precyzyjne pomiary

Ten kompaktowy tester komponentów posiada czytelny wyświetlacz graficzny i automatycznie wykrywa szeroką gamę półprzewodników, takich jak tranzystory, MOSFET, diody, LED, JFET, SCR i triaki. Mierzy precyzyjne parametry, takie jak Hfe, Vbe, próg bramki i Vf. Urządzenie może być używane samodzielnie lub podłączone do komputera przez USB w celu przechwytywania przebiegów i analizy danych. analizator półprzewodników tester tranzystorów tester mosfetów tester usb elektronika urządzenie pomiarowe tester led scr triak wyświetlacz graficzny oprogramowanie pc analiza komponentów elektronicznych

Dlaczego warto wybrać ten produkt?

• Graficzny wyświetlacz zapewniający przejrzyste wyniki: Zmierzone wartości i cechy komponentów są wyraźnie wyświetlane na zintegrowanym ekranie graficznym, co ułatwia odczyt.
• Automatyczne rozpoznawanie komponentów: Urządzenie automatycznie rozpoznaje tranzystory, tranzystory MOSFET, diody, diody LED, tranzystory JFET, tranzystory SCR i triaki, w tym przypisanie pinów i charakterystykę wewnętrzną.
• Precyzyjne pomiary dla wielu typów komponentów: Określa Hfe (4-65000, ±3%), Vbe, Vceo, próg bramki (0,1-5 V, ±2%) i Vf (LED 1,50-4,00 V) z wysoką dokładnością.
• Kompaktowy i wszechstronny: Dzięki kompaktowej konstrukcji i zasilaniu bateryjnemu może być niezależnie lub podłączony do komputera przez USB.
• Szeroki zakres zastosowań i prosta obsługa: Dzięki funkcjom takim jak rejestracja krzywej, rejestrowanie danych i intuicyjna obsługa, jest idealny dla użytkowników hobbystycznych i profesjonalistów.

Kolor produktu:

Niebieski

Wymiary produktu (SxGxW):

103 x 70 x 20 mm

Waga produktu:

0,98 g

Zakres temperatur (przechowywanie):

0 - 50 °C

ANALIZATOR PÓŁPRZEWODNIKÓW